科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
吴贺谦;
中国电子学会;
电真空器件;
机译:功率器件故障机理与应力测试及分析
机译:通过加速功率循环测试分析商用650 V离散型GaN-on-Si HEMT电源器件的断态漏源漏电流故障机理
机译:使用基于2D物理的器件仿真的分步方法来分析短路和关断感应条件下的IGBT故障机理
机译:关于电真空器件场发射电流源的稳定性和耐久性问题
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:包括金层的场效应晶体管,包括该场效应晶体管的微流体器件以及使用该场效应晶体管和微流体器件检测具有硫醇基的分析物的方法
机译:分析故障机理的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。