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响应8-12um的lnGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收

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利用分子束外延技术，研究人员生长了30周期的InGaAS/GaAS量子点超晶格。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|23-25|共3页
会议地点宜昌
作者
庄乾东;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术 ;
关键词
lnGaAs／GaAs;

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