机译:微腔激射量子点的InAs / lnGaAs的垂直阵列在1.3μm的波长在光泵浦
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН;
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург;
机译:微腔激射量子点的InAs / lnGaAs的垂直阵列在1.3μm的波长在光泵浦
机译:1.3μm多层InAs / InGaAs量子点激光器的两态竞争
机译:具有InAs / InGaAs量子阱的GaAs / lnAIGaAs / InGaAs变质异质结构的光学性质,在1.250-1400 nm的光谱范围内发射
机译:阱检测器中InAs / InGaAs点的理论建模和实验表征
机译:1.3毫米InAs量子点激光器的表征和建模。
机译:1.3-1.55μm窗口中变质InAs / InGaAs量子点的带间光电导
机译:通过Direct Si掺杂改进了1.3μm/ GaAs量子点激光器的线宽增强因子。