Hg<,1-x>Cd<,x>Te/GaAs光伏中波红外探测器的变温特性研究

摘要

为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的Hg<,1-x>CdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。