线切割硅片的表面损伤

摘要

该文利用台阶仪、扫描电镜和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。该文还讨论了影响线切割硅片表面损伤的可能原因。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号