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王善忠; 谢绳武; 姬荣斌; 巫艳; 杨建荣; 何力;
中国物理学会;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
ZnSe; (Cl,N)材料; MBE掺杂; 光致发光;
机译:MBE生长的Cl掺杂ZnSe外延层的SIMS研究
机译:MBE生长的调制掺杂ZnSe:Te的光致发光
机译:MBE对Cl掺杂ZnSe层的外延生长和表征
机译:MBE在使用CCl_4掺杂源的MOCVD GaN模板上通过MBE生长的碳掺杂GaN的电学和光学特性
机译:分子束外延生长掺杂杂质的ZnSe层的光致发光和电学性质
机译:掺杂剂和光学微腔对Mn掺杂ZnSe纳米带光致发光的影响
机译:通过离子注入和快速重离子辐照制备mBE生长的Co掺杂ZnO薄膜的光致发光研究
机译:mBE生长的InGaas / Gaas RC LED和VCsEL结构的光致发光映射和角分辨光致发光。
机译:半绝缘C掺杂GAN的分子束外延(MBE)生长
机译:半绝缘C掺杂GaN的分子束外延(MBE)生长
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