激光诱导SiH<,4>等离子体反应碎片的产生机制

摘要

该工作利用光学发射光谱技术对TEACO,,2>激光诱导SiH<,4>等离子体反应碎片的时间特性进行了测量，分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Si、Si<'+>等主要为一级反应产物，Si<,2>、SiH等主要为二级产物的结论。对Si390.6mm、SiH412.8nm谱线随实验条件变化的测量，进一步验证了研究人员结果。