激光诱导SiH_4等离子体反应碎片的产生机制

摘要

本工作利用光学发射光谱技术对ＴＥＡＣＯ２ 激光诱导ＳｉＨ４ 等离子体反应碎片的时间特性进行了测量，分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Ｓｉ、Ｓｉ＋ 等主要为一级反应产物，Ｓｉ２ 、ＳｉＨ 等主要为二级产物的结论。对Ｓｉ３９０．６ｍｍ 、ＳｉＨ４１２．８ｎｍ 谱线随实验条件变化的测量，进一步验证了我们的结果。