以氧或水汽为源等离子体离子注入合成埋层二氧化硅

摘要

报道以氧或者水汽作为离了源以等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）离子合成ＳＩＭＯＸ。我们研究了ＰⅢ离子合成埋层ＳｉＯ〈，２〉的工艺。用ＳＩＭＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试。