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机译：等离子体源和使用该等离子体源的离子注入设备
公开/公告号GB0002297D0
专利类型
公开/公告日2000-03-22
原文格式PDF
申请/专利权人 NISSIN ELECTRIC CO LTD;
申请/专利号GB20000002297
发明设计人
申请日2000-02-02
分类号G21K5/04;H01J37/317;H01J37/32;H01L21/265;H05H1/46;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 01:39:28
机译： 等离子体浸没离子注入设备，包括具有低解离和最低最小等离子体电压的电容耦合等离子体源
机译： 等离子体浸没离子注入设备，包括具有低解离和最低最小等离子体电压的电感耦合等离子体源
