离子束溅射制备Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜材料

摘要

报道一种制备Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜的新方法。采用离子束溅射（Ｉｏｎ－Ｂｅａｒｍ－ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉粉末靶的方法制备了氧化钒的薄膜。用ＸＰＳ对溅射出的薄膜进行测试表明，生成的是Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜。通过椭偏光谱测试光吸收系数α，并拟合得到禁带宽度为２．８２ｅＶ。测定了ＳｉＯ〈，２〉衬底上的Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉的电阻随温度变化的曲线和电阻率的激活能。