Приготовлены полупроводниковые стекла фосфата ванадия и фосфата вана-дия, легированного сульфидом кадмия, содержащие до 50-80 мол. % V_2O_5 . Термоэдс этих стекол измерена в температурном интервале 303-473 К. Энер-гии активации находили построением зависимости S (термоэдс) от 1/T и lg σ от 1/T, которые демонстрировали линейную зависимость. Показано, что получен-ные двумя способами значения отличаются, это отличие в энергиях активаций названо энергией прыжка △. Проверена возможность наличия андерсоновского перехода металл-изолятор (MIT) и установлено, что такой переход не наблю-дается. Полученные данные проанализированы в рамках модели прыжков поля-ронов малого радиуса, описывающих проводимость электронов. Найдено, что прыжковая проводимость происходит по локализованным состояниям хвоста плотности состояний. Во всех стеклах наблюдался n-тип проводимости.
展开▼
