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MOCVD生长AlGaInP/GaInP多量子阱结构材料

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采用ALX-2400型MOCVD设备，进行生长用于黄光AlGaInP/GaInPLED的MQW材料基础研究，获得了教好的晶体学特性和光学特性。

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来源
《第七届全国LED产业研讨与学术会议》|2000年|38-39|共2页
会议地点厦门
作者
关兴国; 严振斌; 刘惠生; 路红喜; 李志强; 李艾功;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类地球物理学;
关键词
多量子阱材料; 外延生长; 禁带宽度; 衬底品格;

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