FCVAD合成非晶金刚石薄膜研究

摘要

用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP<'3>键含量最高，可达80℅以上。