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ZnTe:Cu多晶薄膜的结构与反常电导温度行为研究

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室温下共蒸发沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为.对刚沉积ZnTe:Cu多晶薄膜的暗电导温度行为,及不同温度退火处理后样品的结构进行了研究.用热场发射晶界势垒模型解释了实验结果.刚沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜,铜原子主要存在于晶粒间界.随温度增加,铜原子离化并进入晶粒内部,导致ZnTe:Cu立方相→六方相→立方相的结构转变和类Cu<,1.44>Te正交相的形成.铜原子离化使受主浓度增加,因而使晶界势垒相应变化,这两种机制共同决定了ZnTe:Cu多晶薄膜的反常电导温度行为.

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来源
《中国第六届光伏会议》|2000年|119-123|共5页
会议地点昆明
作者
张静全; 武莉莉; 邵烨; 周心明; 冯良桓; 蔡伟; 郑家贵; J.Tang; 蔡亚平; 黎兵;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能电池;
关键词
ZnTe; Cu多晶薄膜; 相变; 电输运; 反常电导温度行为; 欧姆接触背电极; 薄膜太阳电池; P型重掺杂;

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