碳化硅X射线光刻掩膜初步研究

摘要

本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm<'2>的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备.

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