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陈大鹏; 叶甜春; 李兵; 韩劲东; 赵玲莉; 胥兴才;
中国电子学会;
碳化硅; LPCVD; X射线光刻; 光刻掩模; 薄膜材料;
机译:使用石墨掩膜技术通过深X射线光刻技术制造HARM结构
机译:使用离子束光刻技术对金刚石表面进行直接写入,离子注入掩膜图案化的分辨率,掩膜能力和通量
机译:基于残留纳米掩膜的多种多样的纳米结构林的制造,该掩膜是通过氧等离子体去除光刻胶而合成的
机译:带有和不带有掩膜的X射线深度100米以下深光刻的软X射线
机译:X射线掩膜在X射线曝光过程中的动态热应变现象研究
机译:使用热湿润的Pt / Pd合金蚀刻掩膜的无光刻法制备大面积亚波长抗反射结构
机译:通过高分辨率X射线衍射仪对液相烧结碳化硅进行结构表征通过高分辨率X射线衍射仪在液相存在下烧结碳化硅的结构表征
机译:为sandia软X射线投影光刻工作开发高效,低碎片激光目标的初步开发
机译:由碳化硅和氮化硅制成的膜,其制备和掩膜工艺-使用此类膜进行X射线光刻。
机译:X射线光刻技术的掩膜结构和使用掩膜结构的X射线曝光
机译:使用细分的氮化硅膜作为掩膜基板结构化的掩膜,生产出用于离子束,电子束,X射线或扫描角受限电子束光刻的图案掩膜
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