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测量SIMOX材料顶部硅层的施主行为

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本文分析了SIMOX材料的光致发光谱(PL),判断顶部硅层单晶完整性.对比二次离子质谱(SIMS)结果,分析PL谱中谱峰对应顶部硅层中的O施主、与C和N杂质含量或界面的扩展缺陷有关.用扩展电阻(SRP)方法测量了SIMOX样品的电特性,证明SIMOX材料顶部硅层的施主行为.

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来源
《第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2001年|143-147|共5页
会议地点成都
作者
罗晏; 梁宏; 马芙蓉; 李晓明; 陈如意; 夏稷; 周宏余;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测量和检验;掺杂;
关键词
顶部硅层; 光致发光谱; 二次离子质谱分析; 扩展电阻法; 注氧隔离硅; 电特性;

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