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3微米In(Ga)As/GaAs自组织量子点材料与发光特性

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本文利用AFM,PL谱等方法对In<,x>Ga<,1-x>As(0≤x≤0.5)自组织量子点的分子束外延生长及发光特性进行了系统研究,摸清了各种生长条件下量子点的形成质量.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|106-107|共2页
会议地点贵阳
作者
牛智川; 王晓东; 苗振华; 封松林;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.26;TN304.41;
关键词
量子点材料; InGaAs/GaAs; 分子束外延生长; 发光特点;

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