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刘洪飞; 陈弘; 万里; 李东升; 黄绮; 周均铭;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
GaN; 热稳定性; 分子束外延生长; 退火温度; 半导体材料;
机译:等离子体辅助分子束外延生长立方立方GaN和GaMnN外延层的拉曼散射研究
机译:立方InGaN外延层和立方InGaN / GaN量子阱中的发光压力系数
机译:金属有机气相外延法在(001)GaAs衬底上生长具有AlGaN / GaN超晶格下层的立方GaN外延层中的缺陷密度降低
机译:低温GaN沉积参数对MOVPE在GaAs(001)衬底上生长的立方GaN外延层的结构和光学性能的影响
机译:GaN外延层中的电子传输。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:立方GaN外延层的光致发光研究
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:用于制造基于gan的外延层的单晶衬底,制造该方法的方法,包括基于gan的外延层的LED和LD
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