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刘文超; 夏冠群; 周健; 李冰寒;
中国电子学会;
难熔金属; 砷化镓; 欧姆接触; 半导体器件;
机译:通过磁控溅射沉积具有难熔金属侧壁扩散阻挡层的氮化物半导体的高热稳定性欧姆接触
机译:使用Mo难熔金属改善In0.65Ga0.35Sb的欧姆接触并为6.3异质结双极晶体管进行表面处理
机译:具有难熔金属侧壁扩散阻挡层的n + sup> -GaAs欧姆接触
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:90 nm n-GaAs薄膜中的尺寸交叉和弱局部化
机译:基于Pd / In的n-GaAs欧姆接触
机译:低温电阻欧姆接触中等掺杂的n-Gaas,低温处理
机译:通过控制N-GaAs多晶层的生长N-GaAs与导电衬底的欧姆接触
机译:与n-GaAs形成多层欧姆接触的方法
机译:与N-GaAs的浅欧姆接触
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