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董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
中国电子学会;
磷化铟; 晶格常数; 双晶衍射; MBE; 半导体材料; 掺杂元素; 分子束外延;
机译:氮掺杂和光照对磁控溅射生长氧化锌的晶格常数和导电行为的影响
机译:砷通量对(Ga,Mn)As外延层的晶格常数,磁性和输运性质的影响
机译:锰和锌掺杂的磷化铟稀磁半导体层中的激子发射性质的热力学行为
机译:磷化铟裸基底:其对外延层质量的影响
机译:金属有机气相外延制备稀土掺杂磷化铟和磷化铟镓合金的缺陷结构
机译:压力对n型铁掺杂磷化铟杂质局部振动模式和相变的影响
机译:异价掺杂钙钛矿中晶格常数的预测和空位的影响
机译:si掺杂GaN同质外延层中(有效质量)浅接收器的光学检测磁共振;杂志文章
机译:在衬底上产生有源晶体管区的步骤包括在衬底上产生沟槽的掺杂区,产生外延层,在外延层中形成逆向掺杂分布并进一步处理。
机译:金属氧化物半导体晶体管包括在半导体衬底中掺杂有第一导电类型的阱,外延层,以及第二导电类型的源/漏区和布置在外延层中的沟道区
机译:一种用于形成如图5所示的功率半导体的方法,该方法具有衬底(2),具有至少沟槽(52)的电压维持外延层(1),与沟槽相邻并围绕沟槽的掺杂区(5a)。
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