利用光刻法制备高磁电阻磁性隧道结

摘要

通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和4100Ωμm<'2>、26和23.5Oe.退火前外加磁场在21.3和26.0 Oe之间增加时室温磁电阻比值从4.5﹪跳跃增加到20.6﹪,磁场灵敏度达到3.4﹪/Oe;300℃退火1小时后外加磁场在20.0和23.5 Oe之间增加时室温磁电阻比值从5.8﹪跳跃增加到48.0﹪,磁场灵敏度达到12.1﹪/Oe.退火有效地减小了自由层的偏转场,提高了磁电阻比值和磁场灵敏度.结果表明,这种采用光刻法制备的、具有上述特性的磁性隧道结可用于研制磁动态随机存储器和其它磁敏传感器件.