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一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片,通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成双磁性隧道结。本发明的优点在于:巧妙的利用双隧道结、金属钌层和两层绝缘层的组合,大幅度地提高双磁性隧道结在室温下的磁电阻效应。

著录项

  • 公开/公告号CN1614714A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN200410009938.6

  • 发明设计人 姜勇;于广华;王燕斌;腾蛟;

    申请日2004-12-02

  • 分类号G11C11/15;H01L43/00;

  • 代理机构北京科大华谊专利代理事务所;

  • 代理人刘月娥

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2023-12-17 16:08:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-21

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C11/15 公开日:20050511 申请日:20041202

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2005-07-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-11

    公开

    公开

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