Xe离子研究了静态存储器IDT71256的单粒子效应.获得了单粒子翻转截面和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.在数据处理中用灵敏区的沉积能量代替LET值,从而获得较好的单粒子效应截面曲线.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.'/> IDT71256 SRAM的单粒子效应研究-侯明东刘杰张庆祥王志光朱智勇甄红楼金运范刘昌龙陈晓曦卫新国张琳樊友诚祝周荣张弋艇-中文会议【掌桥科研】

IDT71256 SRAM的单粒子效应研究

摘要

利用兰州重离子加速器加速的高LET的<'136>Xe离子研究了静态存储器IDT71256的单粒子效应.获得了单粒子翻转截面和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.在数据处理中用灵敏区的沉积能量代替LET值,从而获得较好的单粒子效应截面曲线.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号