硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究

摘要

本文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性，裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨，直接涂敷在Si基底上，二极管结构测量的结果表明，碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0～1.5 v/μm)，场强为5V/μm时，电流密度达到了50μA/cm2。该工艺的烧结过程应控制好，加热时间稍长会使CNT厚膜的场发射性能很快下降，时间过长会使CNT处在厚膜表面之下，无法有效发射电子。浆料中的玻璃粉比例增大时，碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低。