氩离子注入单晶Si表面微观摩擦磨损行为研究

摘要

利用氩离子注入技术改善单晶Si表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后,Si单晶在线性加载条件下的磨损机理.研究结果表明,经过1×10<'17>Ar<'+>/cm<'2>剂量的氩离子注入后,单晶Si表面的抗磨损性能有了明显的提高.氩粒子的注入改善了单晶Si表面的韧性,提高了摩擦磨损性能.