MIp<'+>-Al<,x>Ga<,1-x>As/p-n-n<'+>-GaAs太阳电池的光电流

摘要

本文对MIp<'+>-Al<,x>Ga<,1-x>As/p-n-n<'+>-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场、少子扩散长度以及掺杂浓度等半导体参数和各区几何结构参数的解析表达式.从本文得到的新结构的光电流理论表达式可以得到背表面场电池、发射结等四种结构太阳电池的正确表达式.因此,本研究结果具有广泛适用性,可为各种结构类型的太阳电池的高效率优化设计提供必要而简单的理论依据.