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多晶硅RCA晶体管的异质结等效模型

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本文采用一种异质结等效模型解释多晶硅RCA晶体管的高增益.将多晶硅与单晶硅之间的氧化硅等效为一宽禁带的介质层,由于势垒的作用限制了空穴由发射极单晶硅向发射极多晶硅的渡越,从而提高了晶体管的发射效率,大大增加了电流增益.将模型的计算结果与双层多晶硅RCA晶体管实验结果作了对比,两者符合得很好.

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来源
《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|2003年|257-260|共4页
会议地点深圳
作者
金海岩; 张利春; 高玉芝; 叶红飞;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
多晶硅; 晶体管; 异质结等效模型;

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