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掺氮直拉硅单晶中氧沉淀的高温行为研究

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在800℃和1000℃处理下,掺氮直拉硅(NCZ-Si)较普通直拉硅(CZ-Si)有更显著的氧沉淀.经过1000℃,225小时处理后,NCZ-Si中的部分氧沉淀经过1150℃以上温度的后续处理即可以溶解,但仍然保留了一部分具有高温稳定性的氧沉淀.CZ-Si中的氧沉淀数目很少,在1200℃及以下温度进一步长大,而在1250℃可以发生溶解.NCZ-Si和CZ-Si的氧沉淀形成及溶解行为的差异的原因在于掺氮对原生氧沉淀的形成产生了显著的影响.

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来源
《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|2003年|23-25|共3页
会议地点深圳
作者
王宏杰; 杨德仁; 马向阳; 余学功; 阙端麟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;
关键词
掺氮直拉硅; 氧沉淀; 高温行为; 原生氧沉淀;

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