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机译:300 mm氮掺杂直拉硅的晶体生长和氧沉淀行为
Zhejiang Univ, State Key Lab Silicon Mat, Hangzhou 310027, Peoples R China;
doping; nitrogen; Czochralski method; single crystal growth; semiconducting silicon; WAFERS;
机译:低氧浓度氮掺杂直拉硅单晶的氧析出特性
机译:中子辐照氮掺杂直拉硅晶体中增强的氧沉淀
机译:超高温下快速热氧化对切克劳斯基硅晶体中氧析出行为的影响II
机译:300毫米抛光czochralski硅晶片中的氧沉淀行为
机译:切克劳斯基硅中氧沉淀的模型。
机译:原位荧光电化学探测多孔氮掺杂石墨烯的冰晶生长驱动组件催化氧还原
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:碳氧复合物作为Czochralski硅中氧沉淀的核。