多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法

摘要

本发明的多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法包括多晶硅的融化，种籽晶，放肩、生长、收尾、冷却全过程，其特征是在多晶硅融化时，用高纯氮气作为保护气，高纯氮气的压力为5～200Torr，流量为1～200 l/min，氮气通入时间1～1000分钟，在多晶硅融化后，转化为氩气保护，直至硅晶体生长完成。本发明方法克服了普通氮保护气生长大直径硅单晶的氮元素浓度过高，浓度不易控制的困难，同时能有效降低大直径硅单晶的生产成本，特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。