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高质量InGaN LED器件的物理特性

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GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其发光波长变化小于0.5纳米.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|91-91|共1页
会议地点牡丹江
作者
郭文平; 胡卉; 邵嘉平; 韩彦军; 薛松; 汪莱; 孙长征; 郝智彪; 罗毅;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN312.8;
关键词
INGaN; 发光二极管(LED); 波长稳定性; 半高全宽; GaN材料; 发光二极管; 外延生长; 物理特性; 量子阱结构;

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