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李顺峰; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 孙小玲; 王玉田; 张书明;
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;
InGaN; MOCVD; 生长; 光致发光; 氮化镓;
机译:N–H表面分子层在MOVPE高质量In-InGaN高质量生长中的作用
机译:InN上分子束外延生长的六角形InGaN外延层中立方相的生成
机译:通过纳米选择性区域生长来生长的高质量厚InGaN纳米结构,用于新一代光伏器件
机译:用于高质量InGaN生长的超大气MOCVD反应器设计
机译:金属有机气相外延生长高质量InGaN的研究
机译:使用电子能量损失光谱学区分InGaN / GaN微观结构中的立方相和六方相
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:基于半导体GAN:P / INGAN / GAN:N的立方晶格太阳能电池,在氧化镁,MGO上呈立方相,在两个侧面上均可发光。
机译:高质量Rat A层生长方法的选择,高质量Rat A层生长板和高质量Rat A层生长半导体器件
机译:用于欧姆接触的薄膜电极,其使用的材料能够制造与Al,InGaN和方法相关的高质量光学器件的二元和三元p型热电子氧化物薄膜
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