首页> 中文会议>中国空间科学学会空间探测专业委员会第十七次学术会议 >半导体器件空间辐射总剂量效应

半导体器件空间辐射总剂量效应

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

空间辐射总剂量效应是引起航天器故障最主要的因素之一.本文主要介绍了,半导体器件辐射总剂量效应的机理,影响器件辐射损伤程度的因素,及器件抗辐射总剂量的测试方法.

著录项

来源
《中国空间科学学会空间探测专业委员会第十七次学术会议》|2004年|494-499|共6页
会议地点乌鲁木齐
作者
孙越强; 朱光武; 王世金; 梁金宝; 王晶; 陶鹏; 杜起飞;
展开▼
作者单位

中国空间科学学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类科学探索设备与仪器;辐射;
关键词
电离辐射; 空间总剂量效应; 半导体器件;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响 [J] . 丛忠超 ,余学峰 ,崔江维 . 发光学报 . 2014,第004期
2. 空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量辐射效应试验研究 [J] . 薛玉雄 ,曹洲 ,郭祖佑 . 航天器环境工程 . 2008,第001期
3. 高压SOIp LDMOS器件电离辐射总剂量效应研究 [J] . 马阔 ,乔明 ,周锌 . 电子与封装 . 2020,第006期
4. MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究 [J] . 吴素贞 ,徐政 ,徐海铭 . 电子与封装 . 2020,第012期
5. 应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响 [J] . 张倩 ,郝敏如 . 电子科技 . 2019,第006期
6. 半导体激光器的电离总剂量辐照试验技术和辐射效应研究 [C] . 王辉 . 第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 . 2011
7. SOI器件总剂量辐射效应及其背栅加固技术研究 [A] . 张彦伟 . 2014

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号