掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响

摘要

采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm<'-1>和800cm<'-1>等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强.采用X射线单晶衍射技术(SCXRD)对SiGe单晶的晶格常数进行了分析,认为新峰的产生可能是Ge的掺入在Si中形成Ge—C或Si—Ge—C复合体而引起的.同时由于临近Ge原子的影响,部分Si—O—Si键的键长和键角发生变化,使1106cm<'-1>间隙氧吸收峰发生了显著的改变,在1118cm<'-1>产生新的吸收峰.