氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究

摘要

本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO<,2>/Si界面处;为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在SIMOX和不同方法制作的SIMON材料上制作了NMOS场效应晶体管,并测试了辐射前后的转移特性.

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