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冯团辉;
河南省科学技术协会;
多晶硅薄膜; 固相晶化; 结晶度; 太阳电池;
机译:离子注入非晶化的SiGe薄膜固相外延再生过程中的非晶-晶体界面演化
机译:磁控溅射非晶Si 1 sub> x sub> x C x sub>薄膜(x = 1/3)的结晶度,通过掠入射X射线衍射法研究
机译:固相外延工艺研究不同取向沉积非晶硅薄膜的晶化研究
机译:非晶Si_(1-x)Ge_x固相结晶引起的结晶度和电子结构转变的光谱研究
机译:纳米级限制和界面效应对二氧化硅纳米颗粒上吸附薄膜的动力学和玻璃化转变/结晶度的影响
机译:具有SiOx钝化层的非晶Si-Sn-O薄膜晶体管的电特性和稳定性的增强
机译:原位拉曼光谱研究结晶度分布与微晶薄膜硅太阳能电池性能之间的相互作用
机译:熔融石英非晶Ge薄膜扫描激光晶化过程中大对齐晶粒的固相生长
机译:通过用结晶促进材料对非晶膜进行结晶,对结晶膜进行图案化,然后通过辐照提高结晶度来生产薄膜半导体器件的方法
机译:使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
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