FeS2薄膜的正电子湮没初步研究

摘要

FeS2材料作为一种具有合适禁带宽度(Eg=0.95±0.15eV)和较高光吸收系数(当入射光波长λ＜900nm时,吸收系数α＞6×105cm-1)的半导体材料,可以制作极薄的太阳能薄膜电池.作为一种极有发展潜力的太阳能电池材料,近年来受到广泛的重视.在硅衬底上制备FeS2薄膜,由于硅晶格常数与FeS2相差较小,失配度仅为2％,因此成薄质量较好.同时,单晶硅禁带宽度与FeS2相接近,用于制备迭层太阳能电池时,可以提高电池光电转换效率.因此,研究Si衬底上FeS2薄膜结构特征及缺陷,对制备异质结太阳电池具有指导意义.本文采用真空硫化Si(100)衬底上磁控溅射Fe膜的方法制备FeS2多晶薄膜,研究了不同硫化条件下薄膜的晶体结构和表面形貌,采用正电子湮没多普勒展宽能谱初步表征了其结构缺陷,有待进一步的系统研究.