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应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响

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应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。

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来源
《南京大学学报：自然科学版》 |1991年第2期|243-250|共8页
作者
滕敏康; 王志超;
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作者单位

南京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
正电子湮没; PCVD; a-Si-H; 薄膜;

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