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血管性痴呆患者脑葡萄糖代谢的针刺干预研究

摘要

目的:运用正电子发射型计算机断层显像(PET)技术,研究百会、水沟、神门针刺前后,血管性痴呆(VD)患者大脑皮层葡萄糖代谢的变化,从该穴组对脑功能成像的影响,分析其作用机制. 方法:10例VD病人,随机分为2组.A组治以针对偏瘫的常规穴位(手足三阳经为主),B组加用百会、水沟、神门.治疗前后,所有病人均接受PET检测.划定VD患者双侧额叶(眶回)、双侧顶叶、双侧颞叶(海马及海马旁回)、双侧枕叶为感兴趣区.分析各区葡萄糖代谢水平,并进行治疗前后的比较. 结果:治疗组患者针刺治疗后,双侧额叶、健脑颞叶的葡萄糖代谢升高具有统计学意义;常规针刺组患者治疗后,健脑颞叶的代谢升高具有统计学意义. 结论:初步表明百会、水沟、神门治疗VD的机理,与其改善额叶、颞叶的葡萄糖代谢有关.

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