CMOS SRAM辐射性能评估技术研究

摘要

本文介绍了一种CMOS静态存储器加固性能评估技术.选择日立公司HM6116型COMSSRAM作为实验样品,选择输出线上升沿延迟时间TD(rise)、输出线下降沿延迟时间TD(fall)、输出低电平VOL等多个能反映器件抗辐射性能的参数作为信息参数,通过对HM6116型CMOS存储器进行不同剂量的γ辐照试验,根据试验数据得出CMOS存储器的辐射敏感参数与上述信息参数之间的对应关系,排除相关性较差的信息参数,确定了输出线上升沿延迟时间TD(rise)、输出线下降沿延迟时间TD(fall)、输出低电平VOL作为主要信息参数,并通过计算机拟合得出相关曲线及预估方程,从而计算出相应的抗辐射性能参数,并通过实验得到了初步验证.