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双路输出LDO的抗总剂量加固技术研究

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本文介绍了一种星用CMOS双路输出LDO的研制.在电路设计上,采用PMOS管作为调整管、E/DNMOS基准,在工艺上,采用开发的1.5μm硅栅自对准CMOS加固工艺.该低压差电源具有:输出电流1A、压差为0.5V的3.3V固定输出;输出电流1A、输出电压为1.5V～6V的可调输出;静态电源电流小于200μA,其总剂量水平可达3×105rad(Si)以上.

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来源
《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2005年|138-142|共5页
会议地点成都
作者
胡永贵; 高伟; 朱冬梅;
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作者单位

中国核学会;

中国电子学会;

中国工程物理研究院;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类数字集成电路、逻辑集成电路;
关键词
低压差电源; 总剂量; NMOS基准; 加固工艺;

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