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不同衬底对溅射Pb(Zr0.80Ti0.20)O3薄膜的结构及其性能的影响

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利用射频磁控溅射法在低阻Si,SiO2/Si以及Pt/Ti/SiO2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.

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来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|485-488|共4页
会议地点成都
作者
蒲朝辉; 刘洪; 吴家刚; 朱基亮; 肖定全; 朱建国;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
PZT薄膜; 射频磁控溅射; 衬底; 退火; 钙钛矿结构; 电学性能;
入库时间 2022-08-17 10:47:25

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