MOCVD外延InN薄膜中立方相的研究

摘要

本文采用同步辐射XRD方法研究了不同温度下蓝宝石(0001)衬底上MOCVD异质外延六方相InN(h-InN)薄膜中立方相InN(c-InN)的相对含量的变化.实验中发现InN外延薄膜中c-InN的含量对生长温度具有强烈的依赖关系,即400℃生长的InN外延薄膜以c-InN为主,随着生长温度的升高,c-InN的相对含量不断减少.通过测量立方相含量随薄膜厚度的变化发现,500℃时c-InN主要出现在生长初期.根据XRD确定了这两种结构相之间及其与蓝宝石衬底之间的外延取向关系为:c-InN(111)//h-InN(0001)//蓝宝石(0001)与c-InN<110>//h-InN<11-20>//蓝宝石<10-10>.