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熔体外延法生长的截止波长8-12μm InAsl-xSbx单晶的透射光谱研究

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用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不同组分的InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品的截止波长与理论算得的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄的现象.并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|49-52|共4页
会议地点广西北海
作者
高玉竹; 龚秀英; 山口十六夫;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.22;TN304.054.4;
关键词
熔体外延; 截止波长; 透射光谱; InSb单晶; InAs衬底; 能带结构;
入库时间 2022-08-17 10:41:26

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