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高玉竹; 龚秀英; 方维政; 徐非凡; 吴俊; 戴宁;
同济大学电子与信息工程学院,上海,200092;
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;
长波红外材料; InAsSb; 单晶; 熔体外延;
机译:熔融外延生长截止波长为8-12μm的InAsSb单晶的光学性质
机译:通过改良的LPE技术在GaAs上生长的截止波长大于10μm的InAsSb外延层的高质量
机译:熔融外延生长单晶InAsSb层上阳极氧化层的光谱椭圆偏振光度法
机译:高质量的INAS0.04SB0.96 / GaAs单晶,由熔体外延生长12μm的截止波长
机译:化学气相沉积法在单晶铜表面上生长外延石墨烯
机译:微波等离子体化学气相沉积法在4H-SiC上异质外延金刚石生长
机译:CFD分析坩埚几何效果对kyropoulos过程中蓝宝石单晶生长熔体对流和生长行为的影响
机译:金属有机化学气相沉积法生长Inassb / Inas / Inpsb / Inas中红外发射体
机译:基于热屏蔽层温度的单晶熔体水平控制装置,单晶生长装置以及控制单晶熔体水平的方法
机译:水平定向结晶法生长单熔体单晶的装置
机译:直接玻璃化真空容器中熔体的直接结晶法在单晶生长过程中的熔丝保护方法
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