双温区生长CdSe单晶及其红外表征

摘要

硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出Φ15×40mm，电阻率为107～108(Ω.cm)量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率大于62％，表明双温区具有较好的温度梯度，生长过程中能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比，用这种晶体制作的探测器，电荷收集效率较高，具有较好的能量分辨率。