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GaAs平面PIN二极管单刀单掷开关单片

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采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加工制作.

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来源
《2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会》|2006年|292-295|共4页
会议地点贵阳
作者
陈新宇; 许正荣; 蒋幼泉; 李拂晓;
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作者单位

中国电子学会;

东南大学;

杭州电子科技大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类各种开关;
关键词
GaAs; PIN二极管; 单刀单掷开关;

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