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1/f噪声源与其在半导体可靠性评估中的应用

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摘要

1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视.本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例.

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来源
《中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会》|2006年|244-247|共4页
会议地点福建武夷山
作者
刘鹏飞; 郭春生; 李秀宇; 李志国;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
噪声源; 参数漂移; 半导体可靠性;

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