InGaN光伏器件的特征与设计

摘要

研究表明:InGaN材料系能作为获得高效率太阳能电池的材料,用串联和量子阱结构可以实现高转换效率问题.设计InGaN的p-i-n和量子阱太阳能电池,用MOCVD生长并制作成台面式器件.高In组分的InGaN太阳能电池由两个结构构成:一个是把高In组分的InGaN并入p-i-n太阳能电池的i区,另一个是把高In组分的InGaN并入量子阱器件的阱区..低In组分的In0.07Ga0.93Np-i-n器件结构的太阳能电池显示了19﹪的内部量子效率和在500nm处的光发射,证实了该材料在光伏应用中具有稳定性.